型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 27A 3Pin(2+Tab) TO-26331085+¥14.706950+¥14.0784200+¥13.7264500+¥13.63851000+¥13.55052500+¥13.44995000+¥13.38717500+¥13.3242
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 9.4A 3Pin(2+Tab) TO-26321481+¥73.071010+¥69.8940100+¥69.3221250+¥68.8774500+¥68.17841000+¥67.86072500+¥67.41595000+¥67.0347
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 3Pin(2+Tab) TO-263554010+¥7.7760100+¥7.3872500+¥7.12801000+¥7.11502000+¥7.06325000+¥6.99847500+¥6.946610000+¥6.9206
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3Pin(2+Tab) TO-26328585+¥11.735150+¥11.2336200+¥10.9528500+¥10.88261000+¥10.81232500+¥10.73215000+¥10.68207500+¥10.6318
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品类: IGBT晶体管描述: 高速IGBT在NPT技术下的Eoff 30 %,相比上一代 High Speed IGBT in NPT-technology 30% lower Eoff compared to previous generation6738
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 122000mW 3Pin(2+Tab) LDPAK(S)-1 T/R41895+¥14.671850+¥14.0448200+¥13.6937500+¥13.60591000+¥13.51812500+¥13.41785000+¥13.35517500+¥13.2924
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 63000mW 3Pin(2+Tab) LDPAK(S)-1 T/R350610+¥9.7920100+¥9.3024500+¥8.97601000+¥8.95972000+¥8.89445000+¥8.81287500+¥8.747510000+¥8.7149
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 52000mW 3Pin(2+Tab) LDPAK(S)-1 T/R670610+¥9.1440100+¥8.6868500+¥8.38201000+¥8.36682000+¥8.30585000+¥8.22967500+¥8.168610000+¥8.1382
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON IKB10N60T 单晶体管, IGBT, 10 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-263, 3 引脚602310+¥11.3760100+¥10.8072500+¥10.42801000+¥10.40902000+¥10.33325000+¥10.23847500+¥10.162610000+¥10.1246
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 500V 18A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R214510+¥8.7120100+¥8.2764500+¥7.98601000+¥7.97152000+¥7.91345000+¥7.84087500+¥7.782710000+¥7.7537
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT),用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。12925+¥33.508850+¥32.0768200+¥31.2749500+¥31.07441000+¥30.87392500+¥30.64485000+¥30.50167500+¥30.3584
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 440V 15A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R80555+¥5.197525+¥4.812550+¥4.5430100+¥4.4275500+¥4.35052500+¥4.25435000+¥4.215810000+¥4.1580
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT 20安培, 350伏特, N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK256610+¥8.1840100+¥7.7748500+¥7.50201000+¥7.48842000+¥7.43385000+¥7.36567500+¥7.311010000+¥7.2838
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品类: IGBT晶体管描述: ON SEMICONDUCTOR NGD18N40ACLBT4G 单晶体管, IGBT, 18 A, 1.8 V, 115 W, 400 V, TO-252, 3 引脚86375+¥6.115525+¥5.662550+¥5.3454100+¥5.2095500+¥5.11892500+¥5.00575000+¥4.960410000+¥4.8924
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT414510+¥9.4920100+¥9.0174500+¥8.70101000+¥8.68522000+¥8.62195000+¥8.54287500+¥8.479510000+¥8.4479
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT676010+¥7.2360100+¥6.8742500+¥6.63301000+¥6.62092000+¥6.57275000+¥6.51247500+¥6.464210000+¥6.4400
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT198910+¥7.9080100+¥7.5126500+¥7.24901000+¥7.23582000+¥7.18315000+¥7.11727500+¥7.064510000+¥7.0381
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT),用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立,On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。53471+¥57.822010+¥55.3080100+¥54.8555250+¥54.5035500+¥53.95041000+¥53.69902500+¥53.34715000+¥53.0454
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品类: IGBT晶体管描述: 点火IGBT Ignition IGBT777210+¥9.4920100+¥9.0174500+¥8.70101000+¥8.68522000+¥8.62195000+¥8.54287500+¥8.479510000+¥8.4479
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R48825+¥4.603525+¥4.262550+¥4.0238100+¥3.9215500+¥3.85332500+¥3.76815000+¥3.734010000+¥3.6828
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 3Pin D2PAK T/R87641+¥49.117210+¥46.2990100+¥44.2055250+¥43.8834500+¥43.56131000+¥43.19902500+¥42.87695000+¥42.6756
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品类: IGBT晶体管描述: AOD5B65M1 编带91325+¥2.767525+¥2.562550+¥2.4190100+¥2.3575500+¥2.31652500+¥2.26535000+¥2.244810000+¥2.2140
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 高达 20A,Infineon 优化的 IGBT 设计用于中频应用,可快速响应,为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管,从而提供最佳的 IGBT 性能 ### IGBT 晶体管,International Rectifier International Rectifier 提供全面的 IGBT(绝缘栅级双极性晶体管)产品组合,范围从 300V 到 1200V,采用各种技术,可最大程度降低切换和传导损耗,从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模,专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块,可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线,从而实现双面冷却,提高热敏性能、可靠性和效率。18045+¥15.947150+¥15.2656200+¥14.8840500+¥14.78861000+¥14.69312500+¥14.58415000+¥14.51607500+¥14.4478
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品类: IGBT晶体管描述: STGB19NC60H 系列 600 V 19 A 耐短路 IGBT 表面贴装 - D2PAK16925+¥15.561050+¥14.8960200+¥14.5236500+¥14.43051000+¥14.33742500+¥14.23105000+¥14.16457500+¥14.0980
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品类: IGBT晶体管描述: STMICROELECTRONICS STGD18N40LZT4 单晶体管, IGBT, 25 A, 1.35 V, 125 W, 390 V, TO-252, 3 引脚413110+¥6.5880100+¥6.2586500+¥6.03901000+¥6.02802000+¥5.98415000+¥5.92927500+¥5.885310000+¥5.8633
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品类: IGBT晶体管描述: ROHM RGT16NS65DGTL 单晶体管, IGBT, 场截止沟道, 16 A, 1.65 V, 94 W, 650 V, TO-263S, 3 引脚82825+¥13.326350+¥12.7568200+¥12.4379500+¥12.35821000+¥12.27842500+¥12.18735000+¥12.13047500+¥12.0734